林智，副教授，博士，IEEE Member
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学术主页：https://www.researchgate.net/profile/Zhi-Lin-7
个人简介
2009年本科毕业于电子科技大学。
2015年12月获得电子科技大学微电子学与固体电子学博士学位，师从“中国功率器件领路人”陈星弼院士。
2016年2月加入bat365在线平台集成电路设计与工程系。
从事微电子功率器件与功率集成电路的研究和开发工作10余年，在超结 MOSFET、SGT MOSFET、IGBT、LDMOS，GaN HEMT，SiC MOSFET、SiC SBD/MPS，高低压集成BCD工艺，AC-DC、DC-DC控制IC和高压驱动IC等方面经验丰富。先后承担国家自然科学基金项目、省部级和横向科研项目10余项，在IEEE Transaction on Electron Device、IEEE Electron Device Letters、Electron Letters等学术期刊上发表多篇研究论文，授权中国发明专利3项、美国发明专利1项。
研究领域
1）新型半导体功率器件芯片设计及其应用
2）电源管理集成电路芯片设计与功率电子系统
研究生招生方向
学术硕士：信息与通信工程（081000）
专业硕士：电子信息（085400）
热烈欢迎电子、电气、物理和材料等相关专业员工加入课题组！
主持科研项目
[1] 国家自然科学基金面上项目（No. 62074020，在研）
[2] 企业横向项目（No. H20220125，在研）
[3] 企业横向项目（No. 1042012920180257，在研）
[4] 国家自然科学基金青年科学基金项目（No. 61604024，结题）
[5] 重庆市科技计划项目基础科学与前沿技术研究专项（一般项目）（No. cstc2018jcyjAX0706，结题）
[6] 中央高校基本科研业务费专项项目（No. 106112016CDJXY160003，结题）
代表性论文
[1] Z. Wang, Z. Lin, W. Zeng, S. Hu and J. Zhou, "Comparison of Short-Circuit Safe Operating Areas Between the Conventional Field-Stop IGBT and the Superjunction Field-Stop IGBT", IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2022(10): 146-151.
[2] Z. Lin, W. Zeng, P. Li, S. Hu, J. Zhou and F. Tang, "Electrothermal Analysis of the Charge-Discharge Related Energy Loss of the Output Capacitance in OFF-State Superjunction MOSFETs", IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68(9): 4582-4586.
[3] P. Li, J. Guo, Z. Lin, S. Hu, C. Shi and F. Tang, "A Novel Approach to Inactivate the Body p-i-n Diode of SiC MOSFET by Using the Normally-OFF JFET," IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68(4): 1784-1790.
[4] P. Li, J. Guo, Z. Lin and S. Hu, "A Power MOSFET With P-Base Schottky Diode and Built-In Channel Diode for Fast Reverse Recovery," IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2021(9): 300-305.
[5] Z. Xu and Z. Lin, "Low-power current reference with temperature compensation by subthreshold leakage current", Microelectronics Journal, 2021(109): 104936.
[6] P. Li, J. Guo, Z. Lin, S. Hu, C. Shi and F. Tang, "A Low-Reverse-Recovery-Charge Superjunction MOSFET With P-Base and N-Pillar Schottky Contacts," IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 67(4): 1693-1698.
[7] Z. Lin, J. Guo, Z. Wang, S. Hu, J. Zhou and F. Tang, "Novel Isolation Structure for High-Voltage Integrated Superjunction MOSFETs", IEEE Electron Device Letters, 2020, 41(1): 115-118.
[8] P. Li, J. Guo, S. Hu. Z. Lin and F. Tang, "A Low Reverse Recovery Charge Superjunction MOSFET With an Integrated Tunneling Diode", IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(10): 4309-4313.
[9] Z. Lin, "Study on the Intrinsic Origin of Output Capacitor Hysteresis in Advanced Superjunction MOSFETs", IEEE Electron Device Letters, 2019, 40(8): 1297-1300.
[10] Z. Lin, Q. Yuan, S. Hu, X. Zhou, J. Zhou and F. Tang, "A Simulation Study of a Novel Superjunction MOSFET Embedded With an Ultrasoft Reverse-Recovery Body Diode", IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(5): 2333-2338.
[11] Z. Lin, S. Hu, Q. Yuan, X. Zhou and F. Tang, "Low-Reverse Recovery Charge Superjunction MOSFET With a p-type Schottky Body Diode", IEEE Electron Device Letters, 2017, 38(8): 1059-1062.
[12] Z. Lin and X. Chen, "A New Solution for Superjunction Lateral Double Diffused MOSFET by Using Deep Drain Diffusion and Field Plates", IEEE Electron Device Letters, 2015, 36(6): 558-590.
[13] Z. Lin, H. Huang, and X. Chen, "An Improved Superjunction Structure With Variation Vertical Doping Profile", IEEE Transactions on Electron Devices, 2015, 62(1): 228-231.
发明专利
[1] Z. Lin, Q. Yuan, S. Han, S. Hu, J. Zhou, F. Tang, X. Zhou, HIGH-SPEED SUPERJUNCTION LATERAL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 专利号：US16/264654.
[2] 林智，袁琦，韩姝，胡盛东，周建林，唐枋，周喜川，一种有两种载流子导电的超结功率MOSFET，专利号：ZL201810137190.X.
[3] 林智，袁琦，韩姝，胡盛东，周建林，唐枋，周喜川，一种带软恢复体二极管的超结功率MOSFET, 专利号：ZL201810072735.3.
[4] 林智，袁琦，韩姝，胡盛东，周建林，唐枋，周喜川，一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管，专利号：ZL201810137194.8.
[5] 林智，王志皓，韩姝，李平，胡盛东，单片集成式半桥功率器件模块，申请号：CN201911168608.4.
教改项目
[1] bat365中文官方网站教学改革研究项目（No. 2021Y29，主持，在研）
[2] bat365中文官方网站教学改革研究项目（No. 2020Y27，参与，在研）
[3] bat365中文官方网站教学改革研究项目（No. 2017S06，参与，结题）
[4] 重庆市研究生教学改革研究项目（No. yjg203003，参与，在研）
[5] 教育部产学合作协同育人项目（No. 202102147002，参与，在研）
[6] 教育部产学合作协同育人项目（No. 202101279016，参与，在研）
[7] 教育部产学合作协同育人项目（No. 201902024012，参与，结题）
教学科研奖励
[1] bat365中文官方网站教学成果二等奖，2021年
[2] bat365中文官方网站第七届青年教师教学基本功比赛三等奖，2019年
